114-1 第一原理 期中考
每題須附圖五張,文字字數不限:其中答案須提供畫面證據,且過程或參數設定要擷取四個關鍵畫面。
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(每題二十分)
一、手繪 C20 及無限長 (5,7) 碳納米管。
二、從國網中心ICSD 下載 CsGeCl3 晶體結構。
三、將靜電位勢套畫在電子雲等值面的上,呈現 NH3 分子之電位極性樣貌。
四、bcc-Fe 比 fcc-Ni 磁矩大,是因為元素的原因還是排列的原因?以計算證明。
五、U 值要加到多少,才能讓 沿著 111 方向交錯反鐵磁 NiO 的 Gap 大約為 3 eV?