日期

課程大綱

1

06/27

認識 3D 圖形介面與 Materials Studio 快速入門（含文字模式操作）[3小時]

2

06/29

3D 圖形介面細部操作與模型的建構 （分子、晶體、表面、介面、奈米管）；認識晶體結構、無機及有機晶體結構資料庫之使用（視資料庫提供狀況）[3小時]

3

密度泛函理論之方法與應用[4小時]

4

07/04

了解原子的原子軌域與目睹分子的化學鍵；預測鍵長與振動頻率以及預測晶格常數、塊體模量及彈性常數張量、層狀結構 [3小時]

5

07/06

能帶結構簡介，半導體及絕緣體的能帶結構、能隙與投影態密度，以及 金屬的態密度與費米面、能隙修正 [4小時]

6

07/08

材料磁性與反鐵磁性的計算（含虛擬晶體近似法）、強關聯系統、[3小時]

期中考

7

07/11

電子吸收光譜、折射率與介電函數；核階層能譜 [3小時]

8

07/13

靜介電常數、紅外線吸收光譜與拉曼光譜；以及核磁共振與原子結構 [4小時]

9

07/15

聲子譜與材料比熱的計算與預測相變溫度 [3小時]

第二次小考

計算表面重構、分子吸附、功函數、與預測 STM 影像 [3小時]

11

07/20

異質接面之能帶偏移 (Band-offset)、摻雜體系 [3小時]

12

07/22

化學反應、活化能與自由能介紹（含分子動力計算）電子激發態、CASTEP 實戰守則[4小時]

期末考