100 學年度第一學期 計算材料(計算材料物理) 期末考


(請依助教指示之流程進行機上考試)

 

一、計算鋁金屬 (100) 表面的功函數 (20%)。

 

二、算出 Si (100) 表面在 ( 2 × 1 ) 重構後的構型,並產生其偏壓 1V 的 STM 影像。(20%)

 

三、建構一個 Si / Ge 的異質接面超晶胞模型,兩個材料都以 (110)  面作相接 。(20%)

 

四、計算 H2 分子從真空中吸附到鈀 (Pd) 金屬 (111) 表面之過程的所需的活化能,並呈現其活化複體的結構。 (20%)

 

五、以 NVE 分子動力 (MD) 模擬的方式計算H2O 其兩個 O-H 鍵角的彎折頻率 (bending frequency) ,並將之與 IR 計算得到的結果互相比較。(提示:先求 H2O 基態構型,再以拉平成一直線,且溫度設走極低如1K的方式,來作為 MD 的初始條件。)(20%)